삼성전자의 HBM4 로직 다이는 삼성 파운드리 4nm 공정을 사용하는 것으로 알려져 있습니다. 

이 공정은 SK하이닉스가 사용하는 TSMC 12nm보다 상당히 진보된 공정입니다.

HBM4 이후의 시대를 상상해 봅시다. 

삼성전자는 계속해서 삼성 파운드리 공정을 사용할 것입니다. 

SK하이닉스는 다음 로직 다이의 공정으로 TSMC의 5nm 공정을 사용할 것으로 알려져 있습니다. 

계속해서 TSMC의 공정을 사용한다(사용할 수밖에 없다)는 것입니다.

이 상황이 되면 원가 경쟁력은 삼성전자가 압도적으로 높을 것입니다. 

삼성전자는 코어 다이(순수 DRAM 영역)와 로직 다이를 모두 자체 생산해서 접합합니다. 

제조 원가와 제조 속도 모두 이점이 있습니다.

지난 3년여 간의 기간 동안 많은 투자자들은 삼성 파운드리를 삼성전자에서 분사해야 한다고 말했습니다. 

삼성 파운드리의 적자를 떼어내 삼성전자의 수익성을 개선하라는 논리입니다. 

그러나 삼성전자는 삼성 파운드리를 분사시키지 않았고, 꾸준히 투자를 이어 왔습니다.

삼성 파운드리는 미래의 HBM 기술 주도권을 공고히 확립하는 데도 매우 큰 역할을 하게 될 것입니다. 

만약 삼성전자가 삼성 파운드리를 독립 법인으로 분사했다면 지금과 같은 턴 어라운드는 불가능했을 것입니다.